由于碳化硅陶瓷的各種優異性能，人們對碳化硅陶瓷非常認可，因此對碳化硅陶瓷的開發和研究也很多。面介紹幾種制備碳化硅陶瓷的方法。
(1) 熱壓碳化硅陶瓷雖然可以在2000度以上的溫度和350M Pa以上的壓力下使純SiC熱壓致密，但通常采用添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類：一類是與碳化硅中的雜質形成液相，通過液相促進燒結。一種是與SiC形成固溶體，減少晶界，促進燒結。
(2) 常壓碳化硅陶瓷常壓燒結碳化硅又稱無壓燒結碳化硅，可在2100度以上的溫度下生產出高純度、高密度的碳化硅陶瓷。
（3）反應性碳化硅陶瓷反應燒結碳化硅又稱自鍵合碳化硅。將碳化硅粉和石墨粉按一定比例混合壓制成坯體塊，加熱到1650度左右，通過氣相和C反應形成。